最近，陆亚林教授课题组的博士生王建林利用磁性插层的新方法，成功获得了具有完全自主知识产权的新型单相多铁材料，并实现了高于室温（100摄氏度）、且远离共振条件下的磁电耦合，被国际同行评论为多铁材料领域近年来的一个非常显著的进展。
多铁材料是一种同时具有铁电极化有序和铁磁自旋有序的材料，可用于多态存储，高灵敏度传感器和自旋电子器件等领域。由于单相结构比多相复合结构具有很大优势，发展单相多铁材料是这个领域近年来的一大趋势，但之前在单相多铁材料领域的研究以及所涉及到的为数不多的材料体系中除了铁酸铋（BiFeO3，BFO）具有室温多铁性外，其它几乎都是在远低于室温或者在共振条件下。但BFO有其材料本身不可克服的缺陷：比如其磁性是弱的反铁磁性，以及大的漏电流，这几乎完全限制了BFO的发展和实际应用。因此，发展新的、在高于室温下具有铁电铁磁共存的、以及具有高于室温的而且远离共振条件的磁电耦合的单相材料，是近年来多铁材料领域发展的一个挑战。
研究人员通过选择合适的铁电层状钙钛矿结构母体材料，采用磁性插层的方法，获得了具有Aurivillius结构的SrBi5Fe0.5Co0.5Ti4O18新材料。这一新材料在100摄氏度时，依然有44.5 μC/cm2的剩余极化（2Pr），1.24 emu/g的剩余磁化（2Mr），以及350 mV·cm-1·Oe-1的磁电耦合系数，目前尚没有任何材料可与之相比拟。利用这个新材料，课题组还演示了高温低磁场条件下工作的磁电耦合器件。
相关工作以“高温下低磁场响应的单相多铁材料”（Low Magnetic Field Response Single-Phase Multiferroics under the High Temperature）为题在线发表于《材料地平线》（Materials Horizons, 2015, DOI: 10.1039/C4MH00202D）上，评审人认为“The combination of properties exhibited by this material is very rare but highly desired so I think this work will be of great interest”，“It is an interesting work, which may attract wide attention in the field of multiferroics”，“This study makes a very significant advance in the field”。相关工作也获得了中国专利授权（ZL201210375807.4）。
磁性材料插层技术示意图（左） 传感器原型器件和低磁场高温磁电耦合效应（右）
《Materials Horizons》是英国皇家化学学会的新期刊，定位于发表材料科学研究领域具有极强原创性和极高重要性的学术成果，影响因子定位在15左右。
该项研究得到了科技部国家重大研究计划项目的资助。
