庞健

发布时间:2021-05-14

庞健

单位:中国科学技术大学国家同步辐射实验室

地址:合作化南路42号

邮编:230000

电话:0551-63607039

联系方式:jpang@ustc.edu.cn




个人简历

博士,副研究员,主要从事直线加速器、微波高频技术研发等工作。

2004年毕业于中国科学技术大学电子科学与技术系,2009年毕业于国家同步辐射实验室,获博士学位。博士研究生期间主要从事微波电子枪的研制工作,该枪应用于华中科技大学THz-FEL装置。

博士毕业以来,主持科研项目5项,其中国家自然科学基金面上项目1项,重点实验室基金2项,大科学装置预研项目子课题1项。另外参与重仪项目一项。

2010年至2020年,在中物院流体物理研究所工作十年,其间:亲自见证了国内首套用于正电子药物制备的医用回旋产业化的全过程,2017年作为主讲人,代表流体物理研究所参加第四届创新创业大赛军转民大赛,并获二等奖;另外还从事高亮度注入器的研发、强流直线加速器研发、膜片开槽型尾场抑制加速结构研制、紧凑型IH加速结构研制等任务。2020年至今在国家同步辐射实验室工作,主要从事合肥先进光源直线加速器及储存环的微波加速结构研制等任务。


研究方向

1、加速器微波高频技术

2、直线加速器

3、高亮度电子束源


招生信息

报考学生需要大学物理知识基础,熟悉电磁场理论,且对科学研究或技术研发有充分的兴趣,擅长合作交流。

实验室依托合肥光源大科学装置,具备完善的研究实验条件,与国内外一流加速器实验室有密切的合作交流。

热诚欢迎有志于粒子加速器大科学工程前沿研究与国际合作、粒子加速器产业化以及意向从事加速器工程技术工作的同学报考。希望你们在实验室的帮助下,通过理论研究、科研实践和国际合作交流,成长为国际一流的实验物理和工程技术人才。


主要代表作

(1)Hybrid monitor for both beam position and tilt of pulsed high-current beams - REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS - 2014 - 85

(2)二次电子倍增对射频平板腔建场过程的影响 - 物理学报 - 2018.9 - 6717

(3)材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响 - 物理学报 - 2018.2 - 673

(4)腔体双边二次电子倍增一阶与三阶模式瞬态特性对比 - 物理学报 - 2017 - 662030

(5)MeV电子束轰击旋转钽靶产生轫致辐射分析 - 强激光与粒子束 - 2017.6 - 296

(6)轴向 B-dot 束流偏角探测器信号的频域处理 - 强激光与粒子束 - 2016.1 - 281

(7)Design of an alternating phase focusing Interdigital H-mode Drift-Tube-Linac with low injection energy - Nuclear Instruments and Methods, A - 2016.1 - 8