HALF储存环由20个相同的周期组成，采用一种新型H6BA磁聚焦结构。该结构用两个LGB-RB单元（LGB：纵向梯度弯铁，RB：反向弯铁）和一个中直线节，替代了典型H7BA结构中的三个组合功能弯铁单元。这种新型磁聚焦结构设计在降低束流发射度和阻尼时间方面具有更优的性能，同时能提供更多的插入件直线节。其中长直线节长度为5.3米，中直线节长度为2.2米。在2.2 GeV能量下，束流自然发射度为85 pm·rad。为进一步缩短阻尼时间并降低束流发射度，储存环中配置了两台阻尼扭摆器。此外，未来还计划将束流能量提升至2.4~2.5 GeV。较大的动力学孔径支持离轴注入方式。